Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS

Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS

Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS объединяет функции DFB-лазера и модулятора EA с низким чирпом, низким напряжением возбуждения (Vpp: 2–3 В), низким энергопотреблением и высокой эффективностью модуляции.

Описание
Описание продукта

 

Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS объединяет функции DFB-лазера и модулятора EA с низким чирпом, низким напряжением возбуждения (Vpp: 2-3 В), низким энергопотреблением и высокой эффективностью модуляции. Он широко используется в высокоскоростных оптоволоконных системах связи, таких как 10 Гбит/с и 40 Гбит/с, а также в микроволновой фотонике.

 

image005

 

Функции

 

● Рабочая длина волны: 1550 нм.
● Низкое управляющее напряжение:<2.5V
● High bandwidth:>10G,>40G (опционально)
● Высокий коэффициент затухания: 10 дБ.
● Упаковка модулей и настольных компьютеров.

 

Приложения

 

● Высокоскоростная-оптическая система связи 10 Гбит/с.
● Высокоскоростная-оптическая система связи 40 Гбит/с.
● Микроволновая фотоника

 

Параметр производительности

 

Параметры

Символы

Минимальное значение

Типичное значение

Максимальное значение

Единица

Центральная длина волны

λC

1530

-

1564

нм

Выходная средняя оптическая мощность

Павг

-4

0

 

дБм

Спектральная ширина 3 дБ

Дл

 

2

10

МГц

Стабильность длины волны

 

 

 

0.01

нм

Коэффициент подавления краевой моды

СМСР

30

45

-

дБ

Стабильность мощности**

PSS

 

 

±0.005

дБ/5мин

PЛС

 

 

±0.01

дБ/8ч

Модулированное управляющее напряжение

Впп

 

2.0

2.5

V

полоса пропускания 3 дБ

ЭАС-10

ЧБ

10

12

-

ГГц

ЭАС-40

32

35

 

ГГц

Коэффициент динамического затухания

скорая помощь

 

9

10

дБ

Технические характеристики

 

Рабочий стол

Модуль

Габаритные размеры

ДхШхВ

320×220×90 мм

90×70×18 мм

Требования к питанию

 

220 В переменного тока ± 10 % 30 Вт

+5В постоянного тока, заземление

Интерфейс входного сигнала

 

SMA(ж) / В(ж)

Выходное волокно

 

Одномодовое волокно smf-28

 

** Условия испытаний: по часовой стрелке, сверху=25 º C

 

Предельные условия

 

Параметры

Символы

Единица

Минимальное значение

Типичное значение

Максимальное значение

Рабочая температура

Вершина

ºC

-5

 

55

Температура хранения

Тст

ºC

-40

 

85

Влажность

относительной влажности

%

5

 

90

 

Информация для заказа

 

ТК

ЭАС

ХХ

X

ХХ

ХХ

X

 

Режим модуляции:

Модулированный источник света EA

Скорость работы:

10 --- 10 Гбит/с

40 --- 40 Гбит/с

Упаковка:

М -- Модуль

D - Рабочий стол

выходная мощность:

1 --- 1 мВт

Косичка:

ПМ --- ПМФ

СМ --- СМФ

Оптоволоконный разъем:

ФП --- ФК/ПК

ФА---ФК/АПК

SP --- Указано пользователем

 

Тестовая таблица

 

image008

 

горячая этикетка : tc-eas series EA модулированный лазерный источник, Китай tc-eas series EA модулированный лазерный источник производители, завод, волокно -брэггские датчики решетки, Многослойные покрытия, долгое период волокно, склоненные клетчатки Брэгги Брэгги, Оптические клеевые, Градиент-индексные покрытия

(0/10)

clearall