
Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS
Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS объединяет функции DFB-лазера и модулятора EA с низким чирпом, низким напряжением возбуждения (Vpp: 2–3 В), низким энергопотреблением и высокой эффективностью модуляции.
Описание
Описание продукта
Лазерный источник с модуляцией EA серии TC-EAS объединяет функции DFB-лазера и модулятора EA с низким чирпом, низким напряжением возбуждения (Vpp: 2-3 В), низким энергопотреблением и высокой эффективностью модуляции. Он широко используется в высокоскоростных оптоволоконных системах связи, таких как 10 Гбит/с и 40 Гбит/с, а также в микроволновой фотонике.

Функции
● Рабочая длина волны: 1550 нм.
● Низкое управляющее напряжение:<2.5V
● High bandwidth:>10G,>40G (опционально)
● Высокий коэффициент затухания: 10 дБ.
● Упаковка модулей и настольных компьютеров.
Приложения
● Высокоскоростная-оптическая система связи 10 Гбит/с.
● Высокоскоростная-оптическая система связи 40 Гбит/с.
● Микроволновая фотоника
Параметр производительности
|
Параметры |
Символы |
Минимальное значение |
Типичное значение |
Максимальное значение |
Единица |
|
|
Центральная длина волны |
λC |
1530 |
- |
1564 |
нм |
|
|
Выходная средняя оптическая мощность |
Павг |
-4 |
0 |
|
дБм |
|
|
Спектральная ширина 3 дБ |
Дл |
|
2 |
10 |
МГц |
|
|
Стабильность длины волны |
|
|
|
0.01 |
нм |
|
|
Коэффициент подавления краевой моды |
СМСР |
30 |
45 |
- |
дБ |
|
|
Стабильность мощности** |
PSS |
|
|
±0.005 |
дБ/5мин |
|
|
PЛС |
|
|
±0.01 |
дБ/8ч |
||
|
Модулированное управляющее напряжение |
Впп |
|
2.0 |
2.5 |
V |
|
|
полоса пропускания 3 дБ |
ЭАС-10 |
ЧБ |
10 |
12 |
- |
ГГц |
|
ЭАС-40 |
32 |
35 |
|
ГГц |
||
|
Коэффициент динамического затухания |
скорая помощь |
|
9 |
10 |
дБ |
|
|
Технические характеристики |
|
Рабочий стол |
Модуль |
|||
|
Габаритные размеры |
ДхШхВ |
320×220×90 мм |
90×70×18 мм |
|||
|
Требования к питанию |
|
220 В переменного тока ± 10 % 30 Вт |
+5В постоянного тока, заземление |
|||
|
Интерфейс входного сигнала |
|
SMA(ж) / В(ж) |
||||
|
Выходное волокно |
|
Одномодовое волокно smf-28 |
||||
** Условия испытаний: по часовой стрелке, сверху=25 º C
Предельные условия
|
Параметры |
Символы |
Единица |
Минимальное значение |
Типичное значение |
Максимальное значение |
|
Рабочая температура |
Вершина |
ºC |
-5 |
|
55 |
|
Температура хранения |
Тст |
ºC |
-40 |
|
85 |
|
Влажность |
относительной влажности |
% |
5 |
|
90 |
Информация для заказа
|
ТК |
ЭАС |
ХХ |
X |
ХХ |
ХХ |
X |
|
|
Режим модуляции: Модулированный источник света EA |
Скорость работы: 10 --- 10 Гбит/с 40 --- 40 Гбит/с |
Упаковка: М -- Модуль D - Рабочий стол |
выходная мощность: 1 --- 1 мВт |
Косичка: ПМ --- ПМФ СМ --- СМФ |
Оптоволоконный разъем: ФП --- ФК/ПК ФА---ФК/АПК SP --- Указано пользователем |
Тестовая таблица

горячая этикетка : tc-eas series EA модулированный лазерный источник, Китай tc-eas series EA модулированный лазерный источник производители, завод, волокно -брэггские датчики решетки, Многослойные покрытия, долгое период волокно, склоненные клетчатки Брэгги Брэгги, Оптические клеевые, Градиент-индексные покрытия
Отправить запрос
Вам также может понравиться
-

Широкополосный источник света с прямой модуляцией се...
-

Лазерный источник DFB серии TC-DFB, 1550 нм
-

Драйвер настольного лазерного диода серии LDDR
-

Широкополосный источник света ASE серии TC-ASE-1060
-

Широкополосный лазерный модуль с прямой модуляцией с...
-

Лазерный источник света серии TC-DFB с длиной волны ...
